ME7114S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME7114S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 71 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
ME7114S Datasheet (PDF)
me7114s.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)10.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
me7114s-g.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)10.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
me7114s-g.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)10.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
