ME7114S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ME7114S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для ME7114S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ME7114S даташит
me7114s.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 10.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
me7114s-g.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 10.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
me7114s-g.pdf
ME7114S-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7114S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 10.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely l
Другие MOSFET... MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , SPP20N60C3 , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent



