MSK100N03DF - описание и поиск аналогов

 

MSK100N03DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSK100N03DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для MSK100N03DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK100N03DF даташит

 ..1. Size:602K  1
 msk100n03df.pdf pdf_icon

MSK100N03DF

www.msksemi.com MSK100N03DF Semiconductor Compiance Description The MSK100N03DF uses advanced trench technology D D D D to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S S S G General Features DFN3X3-8L VDS = 30V ID =100A RDS(ON)

Другие MOSFET... MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , AON7410 , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 .

History: NCEP065N85

 

 

 

 

↑ Back to Top
.