Справочник MOSFET. MSK100N03DF

 

MSK100N03DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK100N03DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для MSK100N03DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK100N03DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  1
 msk100n03df.pdf pdf_icon

MSK100N03DF

www.msksemi.comMSK100N03DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK100N03DF uses advanced trench technologyD D D Dto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aBattery protection or in other Switching application.S S S GGeneral FeaturesDFN3X3-8LVDS = 30V ID =100ARDS(ON)

Другие MOSFET... MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , RFP50N06 , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 .

History: IRFS4229

 

 
Back to Top

 


 
.