MSK50P03NF - описание и поиск аналогов

 

MSK50P03NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSK50P03NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для MSK50P03NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK50P03NF даташит

 ..1. Size:527K  1
 msk50p03nf.pdf pdf_icon

MSK50P03NF

www.msksemi.com MSK50P03NF Semiconductor Compiance Description The MSK50P03NF uses advanced trench technology excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications. General Features VDS = -30V,ID = -50A RDS(ON)

 9.1. Size:548K  1
 msk50n03df.pdf pdf_icon

MSK50P03NF

www.msksemi.com MSK50N03DF Semiconductor Compiance Description D D D D The MSK50N03DF is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. S S S G The MSK50N03DF meet the RoHS and Green DFN3X3-8L Product Summary BVDSS RDSON ID 30V 46A 9.5m Green Device Available Super Low Gate

Другие MOSFET... MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , IRF530 , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.