NTMFD5C466NT1G - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

NTMFD5C466NT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: NTMFD5C466NT1G
   Маркировка: 5C466N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NTMFD5C466NT1G

NTMFD5C466NT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:192K 1
ntmfd5c466nt1g.pdf

NTMFD5C466NPower MOSFET40 V, 8.1 mW, 49 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXParameter Symbol Value

3.1. Size:206K 1
ntmfd5c466nlt1g.pdf

NTMFD5C466NLMOSFET Power, Dual,N-Channel40 V, 7.4 mW, 52 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS7.4 mW @ 10 V40 VCompliant52 A12.6 mW @ 4.5 V

3.2. Size:192K onsemi
ntmfd5c466n.pdf