NTMFD5C674NLT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTMFD5C674NLT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 313 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm
Тип корпуса: DFN8-5X6
Аналог (замена) для NTMFD5C674NLT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMFD5C674NLT1G даташит
ntmfd5c674nlt1g.pdf
NTMFD5C674NL MOSFET Dual, N-Channel 60 V, 14.4 mW, 42 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 14.4 mW @ 10 V 60 V 42 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2
ntmfd5c674nl.pdf
NTMFD5C674NL MOSFET Dual, N-Channel 60 V, 14.4 mW, 42 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 14.4 mW @ 10 V 60 V 42 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2
ntmfd5c650nlt1g.pdf
NTMFD5C650NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 60 V, 4.2 mW, 111 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.2 mW @ 10 V 60 V Compliant 111 A 5.8 mW @ 4.5 V
ntmfd5c650nl.pdf
NTMFD5C650NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 60 V, 4.2 mW, 111 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.2 mW @ 10 V 60 V Compliant 111 A 5.8 mW @ 4.5 V
Другие MOSFET... MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , 4N60 , NTMFD6H840NLT1G , NTMFD6H846NLT1G , NTMFS006N12MCT1G , NTMFS008N12MCT1G , NTMFS015N10MCLT1G , NTMFS0D8N02P1ET1G , NTMFS0D9N03CGT1G , NTMFS1D15N03CGT1G .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor





