Справочник MOSFET. STM4605

 

STM4605 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM4605
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STM4605

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM4605 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  samhop
 stm4605.pdf pdf_icon

STM4605

GreenProductSTM4605aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.39 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-40V -6A58 @ VGS=-4.5VD 5 4 G6 3D S7 2 SDS O-8D 8 1S1(TA=25C unless otherwise noted)ABS

 9.1. Size:170K  samhop
 stm4615.pdf pdf_icon

STM4605

GreenProductSTM4615aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.10.5 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-40V -12.5A16 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4 G6 3D S7 2 SDS O-8D 8 1S1(TA=25C unless

 9.2. Size:157K  samhop
 stm4633.pdf pdf_icon

STM4605

STM4633aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.33 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -7.0A52 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4 G6 3D S7 2D SS O-8D 8 1S1(TA=25C unless otherwise noted)AB

 9.3. Size:157K  samhop
 stm4637.pdf pdf_icon

STM4605

STM4637aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.30 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -7.7A48 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4 GD 6 3S7 2D SS O-88 1D S1(TA=25C unless otherwise noted)A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDP054N10 , STM4633 , FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , FDP090N10 , 5N50 , FDP100N10 , STM4550 , FDP10N60NZ , STM4532 , FDP120N10 , STM4470E , FDP12N50 , FDP12N50NZ .

History: 3SK104V | MTP10N10M

 

 
Back to Top

 


 
.