Справочник MOSFET. NTMFS5C430NLT3G

 

NTMFS5C430NLT3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS5C430NLT3G
   Маркировка: 5C430L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
   Время нарастания (tr): 140 ns
   Выходная емкость (Cd): 1900 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5

 Аналог (замена) для NTMFS5C430NLT3G

 

 

NTMFS5C430NLT3G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:174K  1
ntmfs5c430nlt3g.pdf

NTMFS5C430NLT3G NTMFS5C430NLT3G

NTMFS5C430NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.4 mW, 200 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.4 mW @ 10 V40 V200 A2.2 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =

 1.1. Size:77K  1
ntmfs5c430nlt1g.pdf

NTMFS5C430NLT3G NTMFS5C430NLT3G

NTMFS5C430NLPower MOSFET40 V, 1.4 mW, 200 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)1.4 mW @ 10 V40

 2.1. Size:174K  onsemi
ntmfs5c430nl.pdf

NTMFS5C430NLT3G NTMFS5C430NLT3G

NTMFS5C430NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.4 mW, 200 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.4 mW @ 10 V40 V200 A2.2 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top