Справочник MOSFET. NTMFS5C645NLT1G

 

NTMFS5C645NLT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS5C645NLT1G
   Маркировка: 5C645L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 900 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN5

 Аналог (замена) для NTMFS5C645NLT1G

 

 

NTMFS5C645NLT1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:114K  1
ntmfs5c645nlt1g.pdf

NTMFS5C645NLT1G NTMFS5C645NLT1G

NTMFS5C645NLPower MOSFET60 V, 4.0 mW, 100 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)4.0 mW @ 10 V60

 1.1. Size:118K  1
ntmfs5c645nlt3g.pdf

NTMFS5C645NLT1G NTMFS5C645NLT1G

NTMFS5C645NLPower MOSFET60 V, 4.0 mW, 100 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)4.0 mW @ 10 V60

 2.1. Size:114K  onsemi
ntmfs5c645nl.pdf

NTMFS5C645NLT1G NTMFS5C645NLT1G

NTMFS5C645NLPower MOSFET60 V, 4.0 mW, 100 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)4.0 mW @ 10 V60

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top