PK6A4BA - описание и поиск аналогов

 

PK6A4BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK6A4BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK6A4BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK6A4BA даташит

 ..1. Size:248K  1
 pk6a4ba.pdf pdf_icon

PK6A4BA

PK6A4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 40V 10.5m 37A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage

 ..2. Size:247K  niko-sem
 pk6a4ba.pdf pdf_icon

PK6A4BA

PK6A4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 40V 10.5m 37A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... NTTFS4C05NTAG , NTTFS4C10NTAG , NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , 2N7000 , PKC26BB , SCDP120R040NP4B , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.