STS65R190L8AS2TR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STS65R190L8AS2TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: DFN4-8X8
Аналог (замена) для STS65R190L8AS2TR
STS65R190L8AS2TR Datasheet (PDF)
sts65r190fs2 sts65r190l8as2tr sts65r190ts2 sts65r190ss2 sts65r190ss2tr.pdf

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 20A650V MOS 2STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R190F(L8A)(T)(S)S2
sts65r280ds2tr sts65r280fs2.pdf

STS65R280D(F)S2 14A650V MOS 2STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 /3
sts65r580ds2tr sts65r580fs2 sts65r580ss2 sts65r580ss2tr sts65r580mjs2.pdf

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 13STS65R580D(F)(S)(MJ)S2
Другие MOSFET... NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , SCDP120R040NP4B , STS65R190FS2 , AON7408 , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 .
History: IXTH15N70 | 2N65G-AA3-R | VS4020AS | CHM1273GP | HGB155N15S | ME7114S-G
History: IXTH15N70 | 2N65G-AA3-R | VS4020AS | CHM1273GP | HGB155N15S | ME7114S-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement