Справочник MOSFET. SVF12N65STR

 

SVF12N65STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF12N65STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N65STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  silan
 svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65F/K/S 12A650V N 2SVF12N65F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 113 TO-263-2L3

 6.1. Size:586K  1
 svf12n65f svf12n65t.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 6.2. Size:489K  silan
 svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

 6.3. Size:444K  silan
 svf12n65t svf12n65f.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65T/F 12A650V N 2SVF12N65T/F NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: APM8001K | RFP10N12 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | HAT3021R | RU1Z120R | SQ3457EV

 

 
Back to Top

 


 
.