Справочник MOSFET. SVF12N65STR

 

SVF12N65STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF12N65STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVF12N65STR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N65STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  silan
 svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65F/K/S 12A650V N 2SVF12N65F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 113 TO-263-2L3

 6.1. Size:586K  1
 svf12n65f svf12n65t.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 6.2. Size:489K  silan
 svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

 6.3. Size:444K  silan
 svf12n65t svf12n65f.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65T/F 12A650V N 2SVF12N65T/F NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR , SVF12N60CF , SVF12N60CFJ , SVF12N60STR , SVF12N65K , SVF12N65S , P0903BDG , SVF13N50AF , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F .

History: AM7481P | JCS12N65CEI | SQ2337ES | AON7518 | 2SK346 | BRCS080N02ZJ | AP6901GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.