SVF12N65STR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF12N65STR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
trⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVF12N65STR
SVF12N65STR Datasheet (PDF)
svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf
SVF12N65F/K/S 12A650V N 2SVF12N65F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 113 TO-263-2L3
svf12n65f svf12n65t.pdf
SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A
svf12n65t svf12n65f.pdf
SVF12N65T/F 12A650V N 2SVF12N65T/F NMOSF-CellTMVDMOS 1 3
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F