SVF12N65STR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF12N65STR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVF12N65STR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N65STR даташит

 ..1. Size:394K  silan
 svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

 6.1. Size:586K  1
 svf12n65f svf12n65t.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 6.2. Size:489K  silan
 svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A 650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

 6.3. Size:444K  silan
 svf12n65t svf12n65f.pdf pdf_icon

SVF12N65STR

SVF12N65T/F 12A 650V N 2 SVF12N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF10N65K, SVF10N65S, SVF10N65STR, SVF12N60CF, SVF12N60CFJ, SVF12N60STR, SVF12N65K, SVF12N65S, IRF1407, SVF13N50AF, SVF13N50CFJ, SVF13N50S, SVF13N50STR, SVF14N25CD, SVF18N65EFJH, SVF18NE50PN, SVF20N50F