Справочник MOSFET. SVF13N50AF

 

SVF13N50AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF13N50AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23.83 nC
   trⓘ - Время нарастания: 76.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVF13N50AF

 

 

SVF13N50AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  silan
svf13n50af.pdf

SVF13N50AF
SVF13N50AF

SVF13N50AF 13A500V N 2SVF13N50AF N MOS F-CellTM VDMOS 13 1.

 6.1. Size:447K  silan
svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf

SVF13N50AF
SVF13N50AF

SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

 6.2. Size:321K  silan
svf13n50cfj.pdf

SVF13N50AF
SVF13N50AF

SVF13N50CFJ 13A500V N 2SVF13N50CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.3. Size:414K  silan
svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf

SVF13N50AF
SVF13N50AF

SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top