SVF13N50AF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF13N50AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF13N50AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 23.83 nC
   Время нарастания (tr): 76.67 ns
   Выходная емкость (Cd): 183 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF13N50AF