Справочник MOSFET. SVF13N50AF

 

SVF13N50AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF13N50AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVF13N50AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF13N50AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  silan
 svf13n50af.pdf pdf_icon

SVF13N50AF

SVF13N50AF 13A500V N 2SVF13N50AF N MOS F-CellTM VDMOS 13 1.

 6.1. Size:447K  silan
 svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf pdf_icon

SVF13N50AF

SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

 6.2. Size:321K  silan
 svf13n50cfj.pdf pdf_icon

SVF13N50AF

SVF13N50CFJ 13A500V N 2SVF13N50CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.3. Size:414K  silan
 svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf pdf_icon

SVF13N50AF

SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF10N65S , SVF10N65STR , SVF12N60CF , SVF12N60CFJ , SVF12N60STR , SVF12N65K , SVF12N65S , SVF12N65STR , 5N65 , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN .

History: RU3090M | MS6N90 | AUIRFL024N | NCE60P45K | STP22NS25Z | AUIRF7478Q | 2SK3990-01SJ

 

 
Back to Top

 


 
.