SVF3878AP7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVF3878AP7
Маркировка: 3878A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.28 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVF3878AP7 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH020N03E | DH020N03D | DH020N03B | DH020N03 | DH019N04I | DH019N04F | DH012N03U | DH012N03P | DH012N03I | DH012N03F | DH012N03E | DH012N03D | JMTE070N07A | HYG035N10NS2B | HYG035N10NS2P | B110N04