Справочник MOSFET. SVF3878AP7

 

SVF3878AP7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF3878AP7
   Маркировка: 3878A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 68 nC
   Время нарастания (tr): 28 ns
   Выходная емкость (Cd): 208 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SVF3878AP7

 

 

SVF3878AP7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  silan
svf3878ap7.pdf

SVF3878AP7
SVF3878AP7

SVF3878AP7 9A900V N 2. SVF3878AP7 N MOS F-CellTM VDMOS 1.

 7.1. Size:370K  silan
svf3878p7.pdf

SVF3878AP7
SVF3878AP7

SVF3878P7 9A900V N 2SVF3878P7 N MOS F-CellTM VDMOS 1 AC-DC

 7.2. Size:300K  silan
svf3878pn.pdf

SVF3878AP7
SVF3878AP7

SVF3878PN 9A900V N SVF3878PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top