SVF3878AP7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF3878AP7
   Маркировка: 3878A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF3878AP7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  silan
svf3878ap7.pdfpdf_icon

SVF3878AP7

SVF3878AP7 9A900V N 2. SVF3878AP7 N MOS F-CellTM VDMOS 1.

 7.1. Size:370K  silan
svf3878p7.pdfpdf_icon

SVF3878AP7

SVF3878P7 9A900V N 2SVF3878P7 N MOS F-CellTM VDMOS 1 AC-DC

 7.2. Size:300K  silan
svf3878pn.pdfpdf_icon

SVF3878AP7

SVF3878PN 9A900V N SVF3878PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.