SVF4N150P7 - аналоги и даташиты транзистора

 

SVF4N150P7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVF4N150P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SVF4N150P7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N150P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  silan
 svf4n150pf svf4n150p7 svf4n150f.pdf pdf_icon

SVF4N150P7

SVF4N150PF(P7)(F) 4A1500V N 2 SVF4N150PF(P7)(F) N MOS 112 F-CellTM VDMOS 3TO-220F-3L31. 2.

 9.1. Size:801K  1
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N150P7

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 9.2. Size:800K  silan
 svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf pdf_icon

SVF4N150P7

SVF4N60D/F/T/M 4A600V N SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS

 9.3. Size:408K  silan
 svf4n70f svf4n70dtr.pdf pdf_icon

SVF4N150P7

SVF4N70F/D 4A700V N 2SVF4N70F/D N MOS F-CellTM VDMOS 13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS , SVF31N30CSTR , SVF3878AP7 , SVF3878P7 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F , STP65NF06 , SVF4N150PF , SVF4N60CADTR , SVF4N60CAFJ , SVF4N60DTR , SVF4N65CADTR , SVF4N65CAFJH , SVF4N65CF , SVF4N65CMJ .

 

 
Back to Top

 


 
.