Справочник MOSFET. STM4470

 

STM4470 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STM4470
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для STM4470

 

 

STM4470 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  samhop
 stm4470.pdf

STM4470 STM4470

GreenProductSTM4470SamHop Microelectronics Corp.Oct. 16. 2006 Ver1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRODUCT SUMMARY FEATURESdSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxRugged and reliable.10 @ VGS = 10V40V 10ASurface Mount Package.13 @ VGS = 4.5VSO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Para

 0.1. Size:117K  samhop
 stm4470a.pdf

STM4470 STM4470

STM4470ASamHop Microelectronics Corp.May, 10 2007N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.10.5 @ VGS = 10V40V 10AS urface Mount Package.13.5 @ VGS = 4.5VE S D Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise note

 0.2. Size:116K  samhop
 stm4470e.pdf

STM4470 STM4470

STM4470ESamHop Microelectronics Corp.May. 15 2007 ver1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.12 @ VGS = 10V40V 9.5AS urface Mount Package.15 @ VGS = 4.5VE S D Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise

 8.1. Size:140K  samhop
 stm4472.pdf

STM4470 STM4470

GreenProductS TM4472S amHop Microelectronics C orp.Jan.7 ,2008 ver1.0N- Channel nhancement Mode Field Effect ransistorE TF E ATUR E SPR ODUC T S UMMAR YS uper high dense cell design for low R DS (ON).ID R DS (ON) ( m ) MaxVDS SR ugged and reliable.24 @ VG S = 10VS urface Mount Package.40V 7 A30 @ VG S = 4.5VE S D Protected.S O-81ABS OLUTE MAXIMUM R

Другие MOSFET... STM4532 , FDP120N10 , STM4470E , FDP12N50 , FDP12N50NZ , FDP12N60NZ , STM4470A , FDP150N10 , IRF540N , FDP150N10AF102 , STM4460 , FDP15N40 , STM4446 , FDP16AN08A0 , FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 .

 

 
Back to Top