SVF4N65MJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVF4N65MJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SVF4N65MJ
SVF4N65MJ Datasheet (PDF)
svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.
svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS
svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13
Другие MOSFET... SVF4N60CADTR , SVF4N60CAFJ , SVF4N60DTR , SVF4N65CADTR , SVF4N65CAFJH , SVF4N65CF , SVF4N65CMJ , SVF4N65DTR , IRFZ48N , SVF4N65RDTR , SVF4N70DTR , SVF4N70F , SVF4N70MJ , SVF5N60DTR , SVF5N65DTR , SVF6N25CD , SVF6N60DTR .
History: SVF1N60N | IXTY2N65X2
History: SVF1N60N | IXTY2N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor