Справочник MOSFET. SVF4N65MJ

 

SVF4N65MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SVF4N65MJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 ..2. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 ..3. Size:427K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS

 ..4. Size:620K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF4N60CADTR , SVF4N60CAFJ , SVF4N60DTR , SVF4N65CADTR , SVF4N65CAFJH , SVF4N65CF , SVF4N65CMJ , SVF4N65DTR , IRF9640 , SVF4N65RDTR , SVF4N70DTR , SVF4N70F , SVF4N70MJ , SVF5N60DTR , SVF5N65DTR , SVF6N25CD , SVF6N60DTR .

History: PSMN2R9-25YLC

 

 
Back to Top

 


 
.