Справочник MOSFET. SVF4N65MJ

 

SVF4N65MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 ..2. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 ..3. Size:427K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS

 ..4. Size:620K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65MJ

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SI2345DS | APT5010JFLL | BL15N25-A | APQ10SN40AF | SFG10R08PF | IXFK73N30 | HAT1108C

 

 
Back to Top

 


 
.