SVF4N65RDTR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF4N65RDTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF4N65RDTR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF4N65RDTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A 650V N 2 SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3

7.1. Size:449K silan
svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

7.2. Size:697K silan
svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon