SVF5N60DTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF5N60DTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF5N60DTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF5N60DTR даташит

 ..1. Size:458K  silan
 svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N60DTR

 6.1. Size:528K  1
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60DTR

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 6.2. Size:563K  silan
 svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N60DTR

 6.3. Size:479K  silan
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60DTR

SVF5N60T/F/D/MJ 5A 600V N 2 SVF5N60T/F/D/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 TO-252-2L 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF4N65CF, SVF4N65CMJ, SVF4N65DTR, SVF4N65MJ, SVF4N65RDTR, SVF4N70DTR, SVF4N70F, SVF4N70MJ, AO4407A, SVF5N65DTR, SVF6N25CD, SVF6N60DTR, SVF6N60FQ, SVF6N70DTR, SVF6N70K, SVF6N70MJG, SVF6N70MN