SVF5N60DTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF5N60DTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 31 ns
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.15 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVF5N60DTR
SVF5N60DTR Datasheet (PDF)
svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf
SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS 1 1 F-CellTM VDMOS 3TO-252-2L3 1.
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf
SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior
svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf
SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf
SVF5N60T/F/D/MJ 5A600V N 2SVF5N60T/F/D/MJ NMOSF-CellTMVDMOS 1 TO-252-2L3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
