Справочник MOSFET. SVF5N65DTR

 

SVF5N65DTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF5N65DTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31.93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF5N65DTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  silan
 svf5n65dtr svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65DTR

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

 6.1. Size:562K  silan
 svf5n65d svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65DTR

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

 8.1. Size:528K  1
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N65DTR

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 8.2. Size:563K  silan
 svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N65DTR

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: R6076ENZ1 | IXFA14N60P | IAUC100N10S5N040 | STU601S | 2SK1849 | IXFA24N60X | STV160NF03LAT4

 

 
Back to Top

 


 
.