Справочник MOSFET. 2SK2753-01

 

2SK2753-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2753-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2753-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  fuji
2sk2753-01.pdfpdf_icon

2SK2753-01

N-channel MOS-FET2SK2753-01FAP-IIS Series 120V 32m 50A 150W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Character

 7.1. Size:209K  inchange semiconductor
2sk2753.pdfpdf_icon

2SK2753-01

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2753FEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

 8.1. Size:393K  toshiba
2sk2750.pdfpdf_icon

2SK2753-01

2SK2750 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2750 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.7 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 3.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 600 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V

 8.2. Size:21K  panasonic
2sk2751.pdfpdf_icon

2SK2753-01

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK27512SK2751Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor impedance conversion in low frequency+0.22.8 0.3For pyro-electric sensor +0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features1 Low noise-figure (NF) High gate-drain voltage VGDO3 Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion by2taping/magazine packing are a

Другие MOSFET... 2SK2710 , 2SK2723 , 2SK2724 , 2SK2734 , 2SK2735 , 2SK2736 , 2SK2737 , 2SK2738 , IRF1010E , 2SK2778 , 2SK2779 , 2SK2788 , 2SK2796 , 2SK2800 , 2SK2802 , 2SK2803 , 2SK2804 .

History: IRF6712S | PHP11N50E | AONX36320 | IPD70P04P4L-08 | IRF7316PBF-1 | MTB20A03Q8

 

 
Back to Top

 


 
.