Справочник MOSFET. SVF6N80MJ

 

SVF6N80MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF6N80MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SVF6N80MJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF6N80MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N80MJ

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.1. Size:452K  silan
 svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf pdf_icon

SVF6N80MJ

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3

 9.2. Size:316K  silan
 svf6n70f.pdf pdf_icon

SVF6N80MJ

SVF6N70F 6A700V N 2SVF6N70F N MOS F-CellTM VDMOS 13

 9.3. Size:488K  silan
 svf6n25cd.pdf pdf_icon

SVF6N80MJ

SVF6N25CD 6A, 250V N 2SVF6N25CD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF6N60DTR , SVF6N60FQ , SVF6N70DTR , SVF6N70K , SVF6N70MJG , SVF6N70MN , SVF6N80DTR , SVF6N80K , IRF540N , SVF740CT , SVF7N60CDTR , SVF7N60CSTR , SVF7N65CDTR , SVF7N65CFJH , SVF7N65CMJL , SVF7N65STR , SVF7N80FD .

History: GSM8483 | AFP2307AS23 | AOT66811L | BL4N60A-U | SVS5N65FJHD2 | BL4N65A-A | 2SJ652-1E

 

 
Back to Top

 


 
.