Справочник MOSFET. SVF740CT

 

SVF740CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF740CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVF740CT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF740CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  silan
 svf740ct.pdf pdf_icon

SVF740CT

SVF740CT 10A400V N 2SVF740CT N MOS F-cellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:227K  1
 svf740t svf740f.pdf pdf_icon

SVF740CT

SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:468K  silan
 svf740t svf740mj.pdf pdf_icon

SVF740CT

SVF740T/MJ 10A400V N 2SVF740T/MJ N MOS 1213 F-CellTM VDMOS 3TO-251J-3L 1. 2. 3.

Другие MOSFET... SVF6N60FQ , SVF6N70DTR , SVF6N70K , SVF6N70MJG , SVF6N70MN , SVF6N80DTR , SVF6N80K , SVF6N80MJ , 50N06 , SVF7N60CDTR , SVF7N60CSTR , SVF7N65CDTR , SVF7N65CFJH , SVF7N65CMJL , SVF7N65STR , SVF7N80FD , SVF7N80K .

History: BUK794R1-40BT | AP2608GY

 

 
Back to Top

 


 
.