SVF740CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF740CT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF740CT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF740CT даташит

 ..1. Size:343K  silan
 svf740ct.pdf pdf_icon

SVF740CT

SVF740CT 10A 400V N 2 SVF740CT N MOS F-cellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:227K  1
 svf740t svf740f.pdf pdf_icon

SVF740CT

SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:468K  silan
 svf740t svf740mj.pdf pdf_icon

SVF740CT

Другие IGBT... SVF6N60FQ, SVF6N70DTR, SVF6N70K, SVF6N70MJG, SVF6N70MN, SVF6N80DTR, SVF6N80K, SVF6N80MJ, 50N06, SVF7N60CDTR, SVF7N60CSTR, SVF7N65CDTR, SVF7N65CFJH, SVF7N65CMJL, SVF7N65STR, SVF7N80FD, SVF7N80K