SVF7N60CDTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF7N60CDTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF7N60CDTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF7N60CDTR даташит

 ..1. Size:452K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60cstr svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60cdtr svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60CDTR

 5.1. Size:783K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60CDTR

SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A 600V N SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS F-CellTM VDMOS

 7.1. Size:512K  silan
 svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf pdf_icon

SVF7N60CDTR

 7.2. Size:627K  silan
 svf7n60t svf7n60f.pdf pdf_icon

SVF7N60CDTR

SVF7N60T/F_Datasheet 7A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF6N70DTR, SVF6N70K, SVF6N70MJG, SVF6N70MN, SVF6N80DTR, SVF6N80K, SVF6N80MJ, SVF740CT, IRFP460, SVF7N60CSTR, SVF7N65CDTR, SVF7N65CFJH, SVF7N65CMJL, SVF7N65STR, SVF7N80FD, SVF7N80K, SVF7N80KL