SVF7N60CSTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF7N60CSTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 122 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21.1 nC
Время нарастания (tr): 32.7 ns
Выходная емкость (Cd): 96 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVF7N60CSTR
SVF7N60CSTR Datasheet (PDF)
svf7n60cf svf7n60cs svf7n60cstr svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60cdtr svf7n60ct.pdf
SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A600V N 2 SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS 1213 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L3
svf7n60cf svf7n60cs svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60ct.pdf
SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A600V N SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS F-CellTM VDMOS
svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf
SVF7N60F/S/D 7A600V N SVF7N60F/S/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf7n60t svf7n60f.pdf
SVF7N60T/F_Datasheet 7A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
