Справочник MOSFET. SVF8N65RMJ

 

SVF8N65RMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF8N65RMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF8N65RMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8N65RMJ

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 7.1. Size:429K  silan
 svf8n65t svf8n65f.pdf pdf_icon

SVF8N65RMJ

SVF8N65T/F 8A650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D

 8.1. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N65RMJ

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:336K  silan
 svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N65RMJ

SVF8N60F 8A600V N 2SVF8N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTP1R4N120P | KMA2D4P20SA | TPCP8J01 | 2N4338 | SI1402DH | STP605D | HGP042N10S

 

 
Back to Top

 


 
.