Справочник MOSFET. SVF8N65RMJ

 

SVF8N65RMJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF8N65RMJ
   Маркировка: 8N65RMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SVF8N65RMJ

 

 

SVF8N65RMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf

SVF8N65RMJ SVF8N65RMJ

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 7.1. Size:429K  silan
 svf8n65t svf8n65f.pdf

SVF8N65RMJ SVF8N65RMJ

SVF8N65T/F 8A650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D

 8.1. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf

SVF8N65RMJ SVF8N65RMJ

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:336K  silan
 svf8n60f.pdf

SVF8N65RMJ SVF8N65RMJ

SVF8N60F 8A600V N 2SVF8N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top