Справочник MOSFET. SVF8N70K

 

SVF8N70K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF8N70K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF8N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  silan
 svf8n70f svf8n70k svf8nn70fj.pdf pdf_icon

SVF8N70K

SVF8N70F/K/FJ 8A700V N 2SVF8N70F/K/FJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 7.1. Size:312K  silan
 svf8n70fjh.pdf pdf_icon

SVF8N70K

SVF8N70FJH 8A700V N 2SVF8N70FJH N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 9.1. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8N70K

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 9.2. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N70K

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IAUA200N04S5N010 | SI7913DN | IRFPG22 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.