SVFP12N60CFJD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVFP12N60CFJD
Маркировка: P12N60CFJD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
trⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SVFP12N60CFJD
SVFP12N60CFJD Datasheet (PDF)
svfp12n60cfjd.pdf
SVFP12N60CFJD 12A600V N 2SVFP12N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp12n65cfjd.pdf
SVFP12N65CFJD 12A650V N 2SVFP12N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfjd.pdf
SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp10n60cfjd.pdf
SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp18n60fjd.pdf
SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfj.pdf
SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svfp14n65cfjd.pdf
SVFP14N65CFJD 14A650V N 2SVFP14N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F