SVFP12N60CFJD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVFP12N60CFJD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVFP12N60CFJD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP12N60CFJD даташит

 ..1. Size:322K  silan
 svfp12n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP12N60CFJD

 6.1. Size:320K  silan
 svfp12n65cfjd.pdf pdf_icon

SVFP12N60CFJD

 9.1. Size:321K  silan
 svfp14n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP12N60CFJD

 9.2. Size:321K  silan
 svfp10n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP12N60CFJD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, SVF8NN70FJ, SVF9N90F, SVFP10N60CFJD, 7N65, SVFP12N65CFJD, SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD, SVFP4N60CADTR, SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD