Справочник MOSFET. STM4446

 

STM4446 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM4446
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для STM4446

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM4446 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  samhop
stm4446.pdfpdf_icon

STM4446

GreenProductSTM4446aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 9A26 @ VGS=4.5V D 5 4 G6 3D S7 2 SDSO-8D 8 1S1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.1. Size:113K  samhop
stm4432.pdfpdf_icon

STM4446

GrerrPPrPPSTM4432aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.11 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 12A15 @ VGS=4.5VSO-81(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Paramet

 9.2. Size:166K  samhop
stm4460.pdfpdf_icon

STM4446

STM4460aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.32 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 7A45 @ VGS=4.5VD 5 4 GD 6 3S7 2D SS O-88 1D S1(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.3. Size:117K  samhop
stm4470a.pdfpdf_icon

STM4446

STM4470ASamHop Microelectronics Corp.May, 10 2007N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.10.5 @ VGS = 10V40V 10AS urface Mount Package.13.5 @ VGS = 4.5VE S D Protected.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise note

Другие MOSFET... FDP12N50NZ , FDP12N60NZ , STM4470A , FDP150N10 , STM4470 , FDP150N10AF102 , STM4460 , FDP15N40 , IRF640N , FDP16AN08A0 , FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F .

History: ZVN4310GTA | PHD2N50E | FDS89161

 

 
Back to Top

 


 
.