SVG069R5NMJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG069R5NMJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 432 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG069R5NMJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG069R5NMJ даташит

 ..1. Size:341K  silan
 svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf pdf_icon

SVG069R5NMJ

SVG069R5ND(MJ)(T) 60A 60V N 2 SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1 3

 9.1. Size:320K  silan
 svg066r5nsa.pdf pdf_icon

SVG069R5NMJ

 9.2. Size:409K  silan
 svg063r5nl5.pdf pdf_icon

SVG069R5NMJ

 9.3. Size:415K  silan
 svg062r8nl5.pdf pdf_icon

SVG069R5NMJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVG041R4NL5, SVG041R7NL5, SVG042R1NL5, SVG042R5NL5, SVG062R8NL5, SVG063R5NL5, SVG066R5NSA, SVG069R5NDTR, AON7506, SVG069R5NT, SVG075R5NT, SVG076R5NDTR, SVG076R5NKL, SVG076R5NS, SVG076R5NSTR, SVG076R5NT, SVG083R4NP7