Справочник MOSFET. SVG083R4NS

 

SVG083R4NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG083R4NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 925 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVG083R4NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG083R4NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  silan
 svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf pdf_icon

SVG083R4NS

SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3

 7.1. Size:420K  silan
 svg083r6nal5.pdf pdf_icon

SVG083R4NS

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf pdf_icon

SVG083R4NS

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

 9.2. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf pdf_icon

SVG083R4NS

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG069R5NT , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , 5N65 , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT , SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , SVG086R0NDTR , SVG086R0NL5TR , SVG086R0NS , SVG086R0NSTR .

History: BLF7G10L-250 | PSMN1R1-30EL

 

 
Back to Top

 


 
.