SVG083R6NAL5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG083R6NAL5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 138 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: PDFN8-5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG083R6NAL5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG083R6NAL5 даташит

 ..1. Size:420K  silan
 svg083r6nal5.pdf pdf_icon

SVG083R6NAL5

SVG083R6NAL5 138A 80V N S D 1 SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

 7.1. Size:415K  silan
 svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf pdf_icon

SVG083R6NAL5

 9.1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf pdf_icon

SVG083R6NAL5

 9.2. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf pdf_icon

SVG083R6NAL5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVG076R5NKL, SVG076R5NS, SVG076R5NSTR, SVG076R5NT, SVG083R4NP7, SVG083R4NS, SVG083R4NSTR, SVG083R4NT, RFP50N06, SVG085R9NT, SVG086R0NDTR, SVG086R0NL5TR, SVG086R0NS, SVG086R0NSTR, SVG086R0NT, SVG086R5NT, SVG087R0NT