SVG094R1NS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVG094R1NS
Маркировка: 094R1NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
trⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 866 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVG094R1NS
SVG094R1NS Datasheet (PDF)
..1. Size:378K silan
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf
SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
9.1. Size:339K silan
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf
SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD