Справочник MOSFET. SVG094R1NS

 

SVG094R1NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG094R1NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 866 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVG094R1NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG094R1NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  silan
 svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf pdf_icon

SVG094R1NS

SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:339K  silan
 svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf pdf_icon

SVG094R1NS

SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

Другие MOSFET... SVG086R0NDTR , SVG086R0NL5TR , SVG086R0NS , SVG086R0NSTR , SVG086R0NT , SVG086R5NT , SVG087R0NT , SVG094R1NKL , K2611 , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , SVG096R5NKL , SVG096R5NT , SVG10120NADTR , SVG10120NAT , SVG10120NSA .

History: ELM544539A | NP84N075CUE | HGP042N10S | OSG60R070HT3ZF | 24NM60L-TF2-T | IXTH86N25T | OSG65R020HT3F

 

 
Back to Top

 


 
.