Справочник MOSFET. SVG094R1NS

 

SVG094R1NS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVG094R1NS
   Маркировка: 094R1NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 866 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SVG094R1NS

 

 

SVG094R1NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  silan
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf

SVG094R1NS
SVG094R1NS

SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:339K  silan
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf

SVG094R1NS
SVG094R1NS

SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top