SVG094R1NS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG094R1NS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 866 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG094R1NS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG094R1NS даташит

 ..1. Size:378K  silan
 svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf pdf_icon

SVG094R1NS

 9.1. Size:339K  silan
 svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf pdf_icon

SVG094R1NS

Другие IGBT... SVG086R0NDTR, SVG086R0NL5TR, SVG086R0NS, SVG086R0NSTR, SVG086R0NT, SVG086R5NT, SVG087R0NT, SVG094R1NKL, 8N60, SVG094R1NSTR, SVG094R1NT, SVG096R5NS, SVG096R5NKL, SVG096R5NT, SVG10120NADTR, SVG10120NAT, SVG10120NSA