SVG096R5NT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVG096R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVG096R5NT
SVG096R5NT Datasheet (PDF)
..1. Size:339K silan
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf
SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
9.1. Size:378K silan
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf
SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
Другие MOSFET... SVG086R5NT , SVG087R0NT , SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , SVG096R5NKL , IRF1405 , SVG10120NADTR , SVG10120NAT , SVG10120NSA , SVG103R0NKL , SVG103R0NP7 , SVG103R0NS , SVG103R0NS6TR , SVG103R0NSTR .
History: BUK763R1-40B | NTD20N06LG | CSFR6N60U | IRFS441 | RSD131P10FRA | HN75N09AP | IXTM3N80A
History: BUK763R1-40B | NTD20N06LG | CSFR6N60U | IRFS441 | RSD131P10FRA | HN75N09AP | IXTM3N80A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20