SVG103R0NKL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG103R0NKL
Маркировка: 103RONKL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 171 nC
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1264 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVG103R0NKL Datasheet (PDF)
svg103r0nt svg103r0ns svg103r0nstr svg103r0nkl svg103r0ns6tr svg103r0np7.pdf
SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) 180A100V N 42SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N MOS 1 1 LVMOS 3 2,3,5,6,71. 2.
svg104r5nt svg104r5ns.pdf
SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.
svg10120nsa.pdf
SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor