SVG103R0NS6TR - аналоги и даташиты транзистора

 

SVG103R0NS6TR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVG103R0NS6TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1264 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO263-6L
 

 Аналог (замена) для SVG103R0NS6TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG103R0NS6TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  silan
 svg103r0nt svg103r0ns svg103r0nstr svg103r0nkl svg103r0ns6tr svg103r0np7.pdf pdf_icon

SVG103R0NS6TR

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) 180A100V N 42SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N MOS 1 1 LVMOS 3 2,3,5,6,71. 2.

 7.1. Size:404K  silan
 svg103r9ns.pdf pdf_icon

SVG103R0NS6TR

SVG103R9NS 120A100V N 2SVG103R9NS N MOS LVMOS 1 3

 9.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG103R0NS6TR

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 9.2. Size:312K  silan
 svg10120nsa.pdf pdf_icon

SVG103R0NS6TR

SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG096R5NKL , SVG096R5NT , SVG10120NADTR , SVG10120NAT , SVG10120NSA , SVG103R0NKL , SVG103R0NP7 , SVG103R0NS , AON7403 , SVG103R0NSTR , SVG103R0NT , SVG103R9NS , SVG104R0NS , SVG104R0NSTR , SVG104R0NT , SVG104R2NT , SVG104R5NF .

 

 
Back to Top

 


 
.