Справочник MOSFET. SVG104R0NS

 

SVG104R0NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG104R0NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 896 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG104R0NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  silan
 svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf pdf_icon

SVG104R0NS

SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3

 7.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG104R0NS

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 7.2. Size:413K  silan
 svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf pdf_icon

SVG104R0NS

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3

 7.3. Size:422K  silan
 svg104r2nt.pdf pdf_icon

SVG104R0NS

SVG104R2NT 120A100V N 2SVG104R2NT N MOS LVMOS 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CEB60N06G | SVG103R0NP7 | CEB84A4 | SVGP104R5NASTR | UT3N01Z | SVS11N60SD2 | BUK7M33-60E

 

 
Back to Top

 


 
.