SVG105R4NKL datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG105R4NKL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG105R4NKL 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO262

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG105R4NKL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVG105R4NKL даташит

..1. Size:401K silan
svg105r4nt svg105r4ns svg105r4nstr svg105r4nkl.pdf pdf_icon

SVG105R4NT(S)(KL) 120A 100V N 2 SVG105R4NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

7.1. Size:320K silan
svg105r5nt.pdf pdf_icon

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

Silan Microelectronics SVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2 field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1 especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3 switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf pdf_icon