Справочник MOSFET. SVG105R5NT

 

SVG105R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG105R5NT
   Маркировка: 105R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 98 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG105R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  silan
 svg105r5nt.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SVG105R5NT 120A98V N 2SVG105R5NT N MOS LVMOS 1

 7.1. Size:401K  silan
 svg105r4nt svg105r4ns svg105r4nstr svg105r4nkl.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SVG105R4NT(S)(KL) 120A100V N 2SVG105R4NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 9.2. Size:312K  silan
 svg10120nsa.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BUK9219-55A

 

 
Back to Top

 


 
.