Справочник MOSFET. SVG105R5NT

 

SVG105R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG105R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 98 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVG105R5NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG105R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  silan
 svg105r5nt.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SVG105R5NT 120A98V N 2SVG105R5NT N MOS LVMOS 1

 7.1. Size:401K  silan
 svg105r4nt svg105r4ns svg105r4nstr svg105r4nkl.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SVG105R4NT(S)(KL) 120A100V N 2SVG105R4NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 9.2. Size:312K  silan
 svg10120nsa.pdf pdf_icon

SVG105R5NT

SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG104R5NKL , SVG104R5NS6 , SVG104R5NS6TR , SVG104R5NSTR , SVG105R4NKL , SVG105R4NS , SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , 20N60 , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 .

History: FQD1N80TF | 2SK3337N | PK5G6EA | NCEAP025N60AG | BSC035N04LSG | CMPF4391 | RJK1008DPP-E0

 

 
Back to Top

 


 
.