SVG108R5NAD datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG108R5NAD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG108R5NAD 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG108R5NAD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:317K silan
svg108r5nad.pdf pdf_icon

4.1. Size:347K silan
svg108r5namq svg108r5namj.pdf pdf_icon

4.2. Size:333K silan
svg108r5nam svg108r5nat.pdf pdf_icon

4.3. Size:558K silan
svg108r5nal5.pdf pdf_icon

SVG108R5NAL5 80A 100V N S D 1 SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6