SVGP15751PL3 datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVGP15751PL3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGP15751PL3 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: DFN8-3.3X3.3

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVGP15751PL3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:427K silan
svgp15751pl3.pdf pdf_icon

7.1. Size:380K silan
svgp157r2ns.pdf pdf_icon

SVGP157R2NS 100A 150V N 2 SVGP157R2NS N MOS LVMOS 1 3

7.2. Size:424K silan
svgp157r5nt svgp157r5np7.pdf pdf_icon

8.1. Size:399K silan
svgp15140nl5a.pdf pdf_icon