Справочник MOSFET. SVGP20110NT

 

SVGP20110NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGP20110NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVGP20110NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP20110NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  silan
 svgp20110nt svgp20110ns svgp20110nstr svgp20110np7.pdf pdf_icon

SVGP20110NT

SVGP20110NT(S)(P7) 88A200V N 2SVGP20110NT(S)(P7) N MOS LVMOS 1

 8.1. Size:410K  silan
 svgp20500nl5.pdf pdf_icon

SVGP20110NT

SVGP20500NL5 24A200V N SD18SVGP20500NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

Другие MOSFET... SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT , SVGP159R3NL5ATR , SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , IRF9540N , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , SVGQ047R6NL5V-2HS , SVGQ06100ND , SVGQ06130PD , SVGQ109R5NAD .

History: PA610DTF | IXFH28N50Q | HUFA75842P3 | IPD040N03L | FHD80N07C | AM4438N | AP04N70BP-A

 

 
Back to Top

 


 
.