SVGQ041R7NL5V-2HSTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVGQ041R7NL5V-2HSTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1221 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8Q-5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам