SVGQ041R7NL5V-2HSTR - аналоги и даташиты транзистора

 

SVGQ041R7NL5V-2HSTR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVGQ041R7NL5V-2HSTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1221 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8Q-5X6
 

 Аналог (замена) для SVGQ041R7NL5V-2HSTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGQ041R7NL5V-2HSTR Datasheet (PDF)

 0.1. Size:406K  silan
 svgq041r7nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R7NL5V-2HSTR

SVGQ041R7NL5V-2HS 160A40V N S D1 8SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 6.1. Size:455K  silan
 svgq041r3nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R7NL5V-2HSTR

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 8.1. Size:417K  silan
 svgq042r8nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R7NL5V-2HSTR

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 8.2. Size:439K  silan
 svgq047r6nl5v-2hs.pdf pdf_icon

SVGQ041R7NL5V-2HSTR

SVGQ047R6NL5V-2HS 65A40V N S D1 8SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVGP159R3NL5ATR , SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , 5N60 , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , SVGQ047R6NL5V-2HS , SVGQ06100ND , SVGQ06130PD , SVGQ109R5NAD , SVS11N60DD2TR , SVS11N60FD2 , SVS11N60FJD2 .

History: APT5026HVR | FDH50N50F133 | IRF6100PBF | HAT2184WP | FQP9N25C | NCE65N460I

 

 
Back to Top

 


 
.