SVGQ041R7NL5V-2HSTR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVGQ041R7NL5V-2HSTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGQ041R7NL5V-2HSTR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1221 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: PDFN8Q-5X6

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVGQ041R7NL5V-2HSTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

0.1. Size:406K silan
svgq041r7nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R7NL5V-2HS 160A 40V N S D 1 8 SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

6.1. Size:455K silan
svgq041r3nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A 40V N S D 1 8 SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

8.1. Size:417K silan
svgq042r8nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A 40V N S D 1 8 SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

8.2. Size:439K silan
svgq047r6nl5v-2hs.pdf pdf_icon

SVGQ047R6NL5V-2HS 65A 40V N S D 1 8 SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V