Справочник MOSFET. SVGQ06130PD

 

SVGQ06130PD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGQ06130PD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 534 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVGQ06130PD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGQ06130PD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  silan
 svgq06130pd.pdf pdf_icon

SVGQ06130PD

SVGQ06130PD -80A-60V P 2 SVGQ06130PD P MOS 1 LVMOS 3

 7.1. Size:419K  silan
 svgq06100nd.pdf pdf_icon

SVGQ06130PD

SVGQ06100ND 60A60V N 2SVGQ06100ND N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:455K  silan
 svgq041r3nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ06130PD

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 9.2. Size:417K  silan
 svgq042r8nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ06130PD

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , SVGQ047R6NL5V-2HS , SVGQ06100ND , AON7506 , SVGQ109R5NAD , SVS11N60DD2TR , SVS11N60FD2 , SVS11N60FJD2 , SVS11N60KD2 , SVS11N60SD2 , SVS11N60SD2TR , SVS11N60TD2 .

History: CEP85N75 | FTK2102

 

 
Back to Top

 


 
.