FDP2552. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDP2552
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FDP2552
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDP2552 даташит
fdb2552 fdp2552.pdf
October 2002 FDB2552 / FDP2552 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 37A, 36m Features Applications rDS(ON) = 32m (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 39nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous R
fdp2570.pdf
August 2001 FDP2570/FDB2570 150V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 22 A, 150 V. RDS(ON) = 80 m @ VGS = 10 V specifically for switching on the primary side in the RDS(ON) = 90 m @ VGS = 6 V isolated DC/DC converter application. Any application requiring a 150V MOSFETs with low on-resistance and
fdb2572 fdp2572.pdf
September 2002 FDB2572 / FDP2572 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54m Features Applications rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID = 9A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchrono
fdb2532 fdp2532 fdi2532.pdf
August 2002 FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 79A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 33A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 82nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage S
Другие MOSFET... FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , FDP22N50N , FDP24N40 , STM4435 , FDP2532 , IRFP250N , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 , STM4432 , FDP2710 , FDP2710F085 , FDP33N25 .
History: WMQ20N06TS | ALD1102BPAL
History: WMQ20N06TS | ALD1102BPAL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement






