SVS60R190SD4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS60R190SD4  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS60R190SD4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS60R190SD4 даташит

 ..1. Size:727K  silan
 svs60r190fjdd4 svs60r190fd4 svs60r190dd4tr svs60r190l8ad4tr svs60r190td4 svs60r190sd4 svs60r190sd4tr svs60r190kd4.pdf pdf_icon

SVS60R190SD4

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 12 3 1 TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1

 8.1. Size:537K  silan
 svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS60R190SD4

SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A 600V MOS 2 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3

Другие IGBT... SVS5N70FD2, SVS5N70KD2, SVS5N70MJD2, SVS60R190DD4TR, SVS60R190FD4, SVS60R190FJDD4, SVS60R190KD4, SVS60R190L8AD4TR, MMIS60R580P, SVS60R190SD4TR, SVS60R190TD4, SVS60R360DE3TR, SVS60R360FJDE3, SVS60R360FJHE3, SVS60R360L8AE3TR, SVS65R240DD4TR, SVS65R240FD4