SVS60R190SD4 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVS60R190SD4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVS60R190SD4
   Маркировка: 60R190D4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
   Время нарастания (tr): 51 ns
   Выходная емкость (Cd): 53 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVS60R190SD4