SVS80R900DE3TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVS80R900DE3TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVS80R900DE3TR
SVS80R900DE3TR Datasheet (PDF)
svs80r900fe3 svs80r900de3tr svs80r900fjde3.pdf
SVS80R900F(D)(FJD)E3 6A800V MOS 2SVS80R900F(D)(FJD)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R900F(D)(FJD)E3 /
svs80r800fjhe3 svs80r800de3tr svs80r800fe3.pdf
SVS80R800FJH(D)(F)E3 7A, 800V MOS 2SVS80R800FJH(D)(F)E3 N MOSFET MOS 1 SVS80R800FJH(D)(F)E3 /
svs80r280fe3 svs80r280fjde3 svs80r280se3 svs80r280se3tr svs80r280p7e3.pdf
SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 17A800V MOS 2SVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3 N MOSFET1 MOS 3TO-247-3LSVS80R280F(FJD)(S)(P7)E3
svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf
SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A800V MOS 2SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1MOSFET MOS 1 23TO-220FJH-3L SVS80R430F(F
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918