SVS80R900FJDE3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS80R900FJDE3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS80R900FJDE3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS80R900FJDE3 даташит

 ..1. Size:522K  silan
 svs80r900fe3 svs80r900de3tr svs80r900fjde3.pdf pdf_icon

SVS80R900FJDE3

 8.1. Size:558K  silan
 svs80r800fjhe3 svs80r800de3tr svs80r800fe3.pdf pdf_icon

SVS80R900FJDE3

 8.2. Size:505K  silan
 svs80r280fe3 svs80r280fjde3 svs80r280se3 svs80r280se3tr svs80r280p7e3.pdf pdf_icon

SVS80R900FJDE3

 8.3. Size:673K  silan
 svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS80R900FJDE3

SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A 800V MOS 2 SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1 MOSFET MOS 1 2 3 TO-220FJH-3L SVS80R430F(F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS80R430FJDE3, SVS80R430FJHE3, SVS80R430L8AE3TR, SVS80R800DE3TR, SVS80R800FE3, SVS80R800FJHE3, SVS80R900DE3TR, SVS80R900FE3, 2N60, SVSP11N60DD2TR, SVSP11N60FD2, SVSP11N60FJD2, SVSP11N60FJDD2, SVSP11N60KD2, SVSP11N60SD2, SVSP11N60SD2TR, SVSP11N60TD2