Справочник MOSFET. SVSP11N65SD2TR

 

SVSP11N65SD2TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVSP11N65SD2TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SVSP11N65SD2TR

 

 

SVSP11N65SD2TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  silan
 svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf

SVSP11N65SD2TR SVSP11N65SD2TR

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S

 5.1. Size:320K  silan
 svsp11n65afjhd2.pdf

SVSP11N65SD2TR SVSP11N65SD2TR

SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /

 5.2. Size:319K  silan
 svsp11n65fjhd2.pdf

SVSP11N65SD2TR SVSP11N65SD2TR

SVSP11N65FJHD2 11A, 650V MOS 2 SVSP11N65FJHD2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP11N65FJHD2 /1.

 6.1. Size:394K  silan
 svsp11n60fjd2 svsp11n60dd2tr.pdf

SVSP11N65SD2TR SVSP11N65SD2TR

SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

 6.2. Size:477K  silan
 svsp11n60dd2tr svsp11n60fd2 svsp11n60sd2 svsp11n60sd2tr svsp11n60fjdd2 svsp11n60td2 svsp11n60kd2.pdf

SVSP11N65SD2TR SVSP11N65SD2TR

SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 11A, 600V MOS 2SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 131MOSFET MOS TO-263-2L31 31. 2. 3.

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top