SVSP14N65FJHE2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVSP14N65FJHE2
Маркировка: P14N65FJHE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 37 ns
Выходная емкость (Cd): 46 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.31 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SVSP14N65FJHE2
SVSP14N65FJHE2 Datasheet (PDF)
svsp14n65fjhe2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVSP14N65FJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJHE2 N MOSFET MOS 1 3SVSP14N65FJHE2 /
svsp14n65fjdd2 svsp14n65td2 svsp14n65kd2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVSP14N65FJD (T)KD2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65FJD/T/KD2 N MOSFET 1 MOS 123 3TO-262-3LSVSP14N65FJD/T/KD2
svsp14n65afjhe2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVSP14N65AFJHE2 14A, 650V MOS 2SVSP14N65AFJHE2 N MOSFET MOS 1 3 SVSP14N65AFJHE2 /
svsp14n60td2 svsp14n60fjdd2 svsp14n60fd2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVSP14N60F(FJD)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVSP14N60F(FJD)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 31. 2. 3.SVSP14N60F(FJD)(T)D2
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .