Справочник MOSFET. SVSP60R090FJDHD4

 

SVSP60R090FJDHD4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP60R090FJDHD4
   Маркировка: P60R090HD4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 87 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVSP60R090FJDHD4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP60R090FJDHD4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:604K  silan
 svsp60r090p7hd4 svsp60r090lhd4tr svsp60r090fjdhd4.pdf pdf_icon

SVSP60R090FJDHD4

SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 38A, 600V MOS 2 TabSVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 N MOSFET1 pin1 MOS 3 Pin2-8SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4

 6.1. Size:473K  silan
 svsp60r033p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP60R090FJDHD4

SVSP60R033P7HD4 83A, 600V MOS 2SVSP60R033P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP60R033P7HD4 /3

 9.1. Size:509K  silan
 svsp65r050p7hd4.pdf pdf_icon

SVSP60R090FJDHD4

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 9.2. Size:571K  silan
 svsp65r110p7hd4 svsp65r110thd4 svsp65r110shd4 svsp65r110shd4tr svsp65r110fjdhd4 svsp65r110lhd4tr.pdf pdf_icon

SVSP60R090FJDHD4

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RU7580R | ZVN4306GTA | RU7550R

 

 
Back to Top

 


 
.